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P0806AT 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel Enhancement Mode MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | P0806AT UNIKC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0806AT
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 8.5mΩ @VGS = 10V
ID 82A
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±25
Continuous Dr | ![]() |
2 | P0806ATF UNIKC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0806ATF
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 8.5mΩ @VGS = 10V
ID 57A
TO-220F
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±25
Continuous Drain Current
TC = 25 °C TC | ![]() |
3 | P0806ATX UNIKC | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0806ATX
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 8mΩ @VGS = 10V
ID 110A
TO-220
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current1 Pulsed Drain Curr | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
P0803BDG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0803BDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 9.2mΩ @VGS = 10V
ID 60A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous D |
![]() UNIKC |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
P0803BVG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0803BVG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 8mΩ @VGS = 10V
ID 13A
SOP- 08
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current Pulsed Drain Curre |
![]() UNIKC |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
P0804BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P0804BD
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
40V 8.5mΩ @VGS = 10V
ID 50A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 40
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Dr |
![]() UNIKC |
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