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P0806ATX

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0806ATX N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60V 8mΩ @VGS = 10V ID 110A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Drain Current1 Pulsed Drain Curr



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P0804BD8

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0804BD8 N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 40V 8mΩ @VGS = 10V ID 62A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 Continuous Dra


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P0804BK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0804BK N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 40V 8mΩ @VGS = 10V ID 30A PDFN 5*6P ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 TC = 25 °C(


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P0804BVG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0804BVG N-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 40V 12mΩ @VGS = 10V ID 12A SOP- 08 100% UIS tested 100% Rg tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±20


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P0806AT

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0806AT N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60V 8.5mΩ @VGS = 10V ID 82A TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ±25 Continuous Dr


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P0806ATF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

P0806ATF N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) 60V 8.5mΩ @VGS = 10V ID 57A TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS Gate-Source Voltage VGS ±25 Continuous Drain Current TC = 25 °C TC


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