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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | RCJ330N25 ROHM Semiconductor | Drive Nch MOSFET Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
RCJ330N25
Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
LPTS
10.1 4.5 1.3
Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage V GSS garanteed to be ±30V . 4) High package power.
13.1 9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
(1) |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RCJ080N25 | Power MOSFET ( Transistor ) RCJ080N25
Nch 250V 8.0A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on) (Max.)
ID PD
250V 600mW
8.0A 35W
lFeatures 1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
6) 100% Avalanche tested
lApplication Swi |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RCJ220N25 | N-ch 250V 22A Power MOSFET RCJ220N25
Nch 250V 22A Power MOSFET
Datasheet
VDSS RDS(on) (Max.)
ID PD
250V 140mW
22A 40W
lFeatures 1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Drive circuits can be simple.
4) Parallel use is easy.
5) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
6) 100% Avalanche tested
lApplication Switc |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RCJ330N25 | Drive Nch MOSFET Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
RCJ330N25
Structure Silicon N-channel MOSFET Dimensions (Unit : mm)
LPTS
10.1 4.5 1.3
Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage V GSS garanteed to be ±30V . 4) High package power.
13.1 9.0
3.0
1.0
1.24
0.78
(3)
5.08
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ROHM Semiconductor |
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