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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | RGT16NS65D ROHM Semiconductor | Field Stop Trench IGBT RGT16NS65D
650V 8A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES IC(100°C) VCE(sat) (Typ.)
PD
650V 8A
1.65V 94W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
lOutline
LPDS |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RGT00TS65D | Field Stop Trench IGBT RGT00TS65D
650V 50A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES IC(100°C) VCE(sat) (Typ.)
PD
650V 50A 1.65V 277W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
lOutline
TO |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RGT16NS65D | Field Stop Trench IGBT RGT16NS65D
650V 8A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES IC(100°C) VCE(sat) (Typ.)
PD
650V 8A
1.65V 94W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
lOutline
LPDS |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RGT30NS65D | Field Stop Trench IGBT RGT30NS65D
650V 15A Field Stop Trench IGBT
Data Sheet
VCES IC(100°C) VCE(sat) (Typ.)
PD
650V 15A 1.65V 133W
lFeatures
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
lOutline
LP |
ROHM Semiconductor |
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