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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | RJK0603DPN-E0 Renesas Technology | N-Channel MOS FET RJK0603DPN-E0
N-Channel MOS FET 60 V, 80 A, 5.2 m
Features
High speed switching Low drive current Low on-resistance RDS(on) = 4.1 m typ. (at VGS = 10 V) Package TO-220AB
Outline
RENESAS Package code: PRSS0004AG-A (Package name: TO-220AB)
4
123
1G
Preliminary Datasheet
R07DS0654EJ0200 Rev.2.0 |  |
데이터시트 다운로드
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RJK005N03 | Drive Nch MOS FET
RJK005N03
Transistors
2.5V Drive Nch MOS FET
RJK005N03
zStructure Silicon N-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm)
SMT3
2.9 1.1 0.4
(3)
zFeatures 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive).
0.8
(2)
(1)
1.6 2.8
0.95 0.95 0.15 1.9
zApplications Switching zPackaging spe |
 ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RJK005N03FRA | Nch 30V 500mA Small Signal MOSFET RJK005N03FRA
Nch 30V 500mA Small Signal MOSFET
VDSS RDS(on)(Max.)
ID PD
30V 580mΩ ±500mA 200mW
lFeatures
1) Low on-resistance 2) Ultra low voltage drive (2.5V drive) 3) AEC-Q101 Qualified
lOutline
SOT-346
SC-59
SMT3
lInner circuit
Datasheet
lApplic |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RJK0204DPA | Silicon N Channel Power MOS FET Preliminary Datasheet
RJK0204DPA
Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode REJ03G1922-0210 Power Switching Rev.2.10
Apr 27, 2010
Features
High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.2 m typ. (at VGS = 10 |
Renesas Technology |
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