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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RJL5012DPE Renesas | N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet
RJL5012DPE
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching
R07DS0435EJ0200 (Previous: REJ03G1745-0100) Rev.2.00 | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJL-001 | Single 10/100 BASE-TX Filtered Connector Module
NUMBER : RD-SDRJL-001 DATE :2003, 08, 13 -CL(REV:3)
Single 10, 100 BASE-TX Filtered Connector Module MODEL NO. : RJL-001
Features
Fully shielded magnetics protect data from internally generated digital noise Reduces the overall length of the signal path for improved common mode performance Implem |
![]() Taimag |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJL5012DPE | N-Channel Power MOSFET / Transistor Preliminary Datasheet
RJL5012DPE
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
Built-in fast recovery diode Low on-resistance RDS(on) = 0.56 typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25 C) Low leakage current High speed switching
R07DS0435EJ0200 (Previous: REJ03G1745-0100) Rev.2.00 |
![]() Renesas |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RJL5012DPP | Silicon N Channel MOS FET RJL5012DPP
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
Built-in fast recovery diode Low on-resistance Low leakage current High speed switching
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AB-A (Package name: TO-220FN)
1 23
G
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source |
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