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RQJ0202VGDQA 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon P Channel MOS FET Power Switching의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | RQJ0202VGDQA Renesas | Silicon P Channel MOS FET Power Switching Preliminary Datasheet
RQJ0202VGDQA
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
Low on-resistance RDS(on) = 83 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive R07DS0291EJ0500 Rev.5.00 Jan 10, 2014
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Pac | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RQJ0201UGDQA | Silicon P-Channel MOS FET RQJ0201UGDQA
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
Low on-resistance RDS(on) = 53 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.8 A)
Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)
3
1 2
Note: Marking is “UG”.
Preliminary |
![]() Renesas |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RQJ0202VGDQA | Silicon P Channel MOS FET Power Switching Preliminary Datasheet
RQJ0202VGDQA
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
Low on-resistance RDS(on) = 83 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive R07DS0291EJ0500 Rev.5.00 Jan 10, 2014
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Pac |
![]() Renesas |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
RQJ0203WGDQA | Silicon P-Channel MOS FET RQJ0203WGDQA
Silicon P Channel MOS FET Power Switching
Features
Low on-resistance RDS(on) = 142 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.1 A)
Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK)
3
1 2
Note: Marking is “WG”.
Preliminar |
![]() Renesas |
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