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RTE002P02 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 2.5V Drive Pch MOS FET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | RTE002P02 ROHM Semiconductor | 2.5V Drive Pch MOS FET
RTE002P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOS FET
RTE002P02
zStructure Silicon P-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm)
EMT3
1.6 0.3 0.7 0.55
zFeatures 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive.
(1)Source
(3)
0.8
(2) (1)
1.6
0.2 0.5 0.5 1.0
0.2
0.15
zApplications S |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RTE002P02 | 2.5V Drive Pch MOS FET
RTE002P02
Transistors
2.5V Drive Pch MOS FET
RTE002P02
zStructure Silicon P-channel MOS FET zExternal dimensions (Unit : mm)
EMT3
1.6 0.3 0.7 0.55
zFeatures 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive.
(1)Source
(3)
0.8
(2) (1)
1.6
0.2 0.5 0.5 1.0
0.2
0.15
zApplications S |
ROHM Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RTE100 | Wirewound Rheostat/Potentiometer RT100, RTE100
Vishay Sfernice
Wirewound Rheostat, Potentiometer
FEATURES
100 Watt at 25°C 70 Watt at 25°C CCTU 05-03B (PA5) Vitreous style RT100 Lacquered style RTE100
DIMENSIONS in millimeters
RT100-PA5
PANEL CUT OUT DETAILS
85 + 3 60 50 6
Ø 10.5
2 holes Ø 5
-0 6 - 0, 05
A 10
47
|
 Vishay Siliconix |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| RTE12 | Wirewound Rheostat/Potentiometer Wirewound Rheostat, Potentiometer
RT12, RTE12
Vishay Sfernice
FEATURES 12 Watt at 25°C CCTU 05-03B (PA9) Vitreous RT12 and Laquered RTE12 styles
DIMENSIONS in millimeters RT12-PA9
22 ,5 + 1, 5
17
2 M6 x 0, 75
-0 3 - 0,05
PANEL CUT OUT DETAILS
Ø 3.5
15, 5
1, 1 MIN
70
18 + 2
9 +1
1
|
 Vishay |
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