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S9011 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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1S9011

WEJ		NPN Transistor

RoHS S9011 S9011 F EATURE Pow er dissipation P CM: TRANSISTOR (NPN) TO-92 1 . EMITTER 2. BASE 0 .31 W (Tamb=25℃) 3. COLLECTOR Co llector current I CM: 0 .03 A C ollector-base voltage V (BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: - 55℃ to +150℃ E LECTRICAL C
WEJ
2S9011

BL		NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

BL Galaxy Electrical NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES - Collec tor Current.(IC= 30mA） - Power dissipation.(PC=200mW) Production specification S 9011 Pb Lead-free APPLICATIONS - AM converter, AM, FM if amplifier general purpose transistor. ORDERING INFORMATION Type No. S 9011
BL

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부품번호 상세설명 제조업체 PDF
S9004P2CT 30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

S9004P2CT 30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter
 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated		 datasheet S9004P2CT pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
S9005P2CT 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

S9005P2CT 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter
 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated		 datasheet S9005P2CT pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
S9011 NPN Transistor

RoHS S9011 S9011 F EATURE Pow er dissipation P CM: TRANSISTOR (NPN) TO-92 1 . EMITTER 2. BASE 0 .31 W (Tamb=25℃) 3. COLLECTOR Co llector current I CM: 0 .03 A C ollector-base voltage V (BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: - 55℃ to +150℃ E LECTRICAL C
 WEJ
WEJ		 datasheet S9011 pdf

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