S9013LT1 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 NPN Epitaxial Silicon Transistor의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	S9013LT1 Elite	NPN Epitaxial Silicon Transistor S9013LT1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. SOT-23 Collector-Emitter Voltage: VCEO= 25V Collector Dissipation: PC=300mW Absolute Maximum Ratings (TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Collector-Emi
2	S9013LT1 Jiangsu Changjiang Electronics Technology	Plastic Encapsulate Transistors JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT¡ª 23 S9013LT1 FEATURES 1. BASE TRANSISTOR ¨NPN 2. EMITTER 3. COLLECTOR Power dissipation PCM : 0.3 W ¨ Tamb=25¡æ Collector current ICM : 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operati
3	S9013LT1 Weitron Technology	NPN General Purpose Transistors S9013LT1 3 1 2 SOT-23 V CEO Value 25 40 5.0 500 S9013LT1=J3 0.1 100 100 25 40 E=20 Vdc, I E= 0 ) 40 5.0 O 0.1 0.1 0.1 u u u WEITRON http:, , www.weitron.com.tw S9013LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Min Max Unit ON C
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9004P2CT	30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER S9004P2CT 30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter	Diodes Incorporated
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9005P2CT	20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER S9005P2CT 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter	Diodes Incorporated
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9011	NPN Transistor RoHS S9011 S9011 F EATURE Pow er dissipation P CM: TRANSISTOR (NPN) TO-92 1 . EMITTER 2. BASE 0 .31 W (Tamb=25℃) 3. COLLECTOR Co llector current I CM: 0 .03 A C ollector-base voltage V (BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: - 55℃ to +150℃ E LECTRICAL C	WEJ

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