SJDP120R085 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	SJDP120R085 SemiSouth	Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Silicon Carbide SJDP120R085 Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 °C - RDS(on) typical of 0.075 Ω - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Cap
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SJD00074BED	Silicon PNP Epitaxial Transistor Power Transistors 2SB1435 Silicon PNP epitaxial planar type For low-frequency output amplification 7.5±0.2 3.8±0.2 Unit: mm 4.5±0.2 ■ Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Large collector current IC Allowing automatic insertion with radial taping 10.8±0.2 0.65±0.1	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SJDA065R055	Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 °C - RDS(on) max of 0.055 Ω - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Capacitance Applications: - Solar Invert	SemiSouth
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
SJDP120R085	Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Silicon Carbide SJDP120R085 Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 °C - RDS(on) typical of 0.075 Ω - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Cap	SemiSouth

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