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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | T45N1200 IXYS Corporation | IXGT45N1200
IGBT
High Voltage, Low VCE(sat)
Preliminary data sheet
IXGH 45N120 VCES IXGT 45N120 IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1200 V = 75 A = 2.5 V = 390 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ Continuous Tr | ![]() |
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
T45 | Thyristor - Triac |
![]() Loras Industries Inc |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
T458BPA | 17 - 24 GHz GaAs Power Amplifier / Driver MMIC T458B_PA 17 24 GH- GaAs Power Amplifier, Driver MMIC
4 Stage Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) Amplifier Input, Output matched (incl. bond wires) Frequency range: 17 GH- to 24 GH- High Isolation > 50 dB Gain > 22 dB P-1dB > 23 dBm, Psat > 24 dBm
chip size: 4.2 mm x 1.8 mm
ESD: |
![]() Infineon Technologies |
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부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
T45N1200 | IXGT45N1200
IGBT
High Voltage, Low VCE(sat)
Preliminary data sheet
IXGH 45N120 VCES IXGT 45N120 IC25 VCE(sat) tfi(typ)
= 1200 V = 75 A = 2.5 V = 390 ns
Symbol VCES VCGR VGES VGEM IC25 IC90 ICM SSOA (RBSOA) PC TJ TJM Tstg
Test Conditions TJ = 25°C to 150°C TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ Continuous Tr |
![]() IXYS Corporation |
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