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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | TK30A06J3A Toshiba Semiconductor | Field Effect Transistor TK30A06J3A
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U MOSⅢ)
TK30A06J3A
Switching Regulator Applications
- - - - Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) |  |
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관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK30A06J3A | Field Effect Transistor TK30A06J3A
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U MOSⅢ)
TK30A06J3A
Switching Regulator Applications
- - - - Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V) |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK30A06N1 | MOSFETs TK30A06N1
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H)
TK30A06N1
1. Applications
Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| TK30E06N1 | MOSFETs TK30E06N1
MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H)
TK30E06N1
1. Applications
Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) (2) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS |
Toshiba Semiconductor |
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