UP2518 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	UP2518 유니소닉 테크놀로지스	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2518 LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS FEATURES * Extremely low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) and corresponding extremely low equivalent on-resistance RCE(SAT) (97mΩ at 1.5A) * High collector current capability(1.5A) * High peak pulse cur
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
UP2003	P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2003 P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION Power MOSFET The UP2003 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load sw	Unisonic Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
UP2518	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2518 LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS FEATURES * Extremely low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) and corresponding extremely low equivalent on-resistance RCE(SAT) (97mΩ at 1.5A) * High collector current capability(1.5A) * High peak pulse cur	Unisonic Technologies
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
UP2790	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOSFET UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UP2790 SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UP2790 uses advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use in Motor Drive application. FEATURES * Low on-state	Unisonic Technologies

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