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XP161A11A1PR 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Power MOS FET의 기능을 가지고 있습니다. |
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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | XP161A11A1PR Torex Semiconductor | Power MOS FET x N-Channel Power MOS FET x DMOS Structure x Low On-State Resistance: 0.105Ω MAX x Gate Protect Diode Built-in x Ultra High-Speed Switching x SOT-89 Package
s General Description
The XP161A11A1PR is a N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristi |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1000 | GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-24.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1000 Chip Device Layout
Features
High Linearity Output Amplifier Balanced Design Provides Good Input, Output Match On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector 19.0 dB Small Signal Gain +36.0 dBm Third Order Intercept (OIP3 |
 Mimix Broadband |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1000-BD | GaAs MMIC Power Amplifier 17.0-24.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2007 - Rev 02-May-07
P1000-BD Chip Device Layout
Features
High Linearity Output Amplifier Balanced Design Provides Good Input, Output Match On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector 19.0 dB Small Signal Gain +36.0 dBm Third Order Intercept (O |
Mimix Broadband |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| XP1001 | GaAs MMIC Power Amplifier 26.0-40.0 GH- GaAs MMIC Power Amplifier
May 2005 - Rev 05-May-05
P1001 Chip Device Layout
Features
High Linearity Wideband Amplifier On-Chip Temperature Compensated Output Power Detector Balanced Design Provides Good Input, Output Match 11.0 dB Small Signal Gain +31.0 dBm Third Order Intercept (OI |
Mimix Broadband |
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