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| CEM0310 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES
100V, 2.6A, RDS(ON) = 180mΩ @VGS = 10V.
CEM0310
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. Surface mount Package.
D 8 D 7 D 6 D 5
SO-8 1
1   CET |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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CEM0415 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEM0415
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
150V, 4A, RDS(ON) = 85mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 95mΩ @VGS = 6V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount P CET  |
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CEM1010 Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEM1010
Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
PRELIMINARY
FEATURES
100V, 9.5A, RDS(ON) = 15.5mΩ @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. Surface mount Package.
DD D D 8  Chino-Excel Technology |
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CEM11C2 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEM11C2
Jul. 2002
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel)
5
FEATURES
30V ,7A , RDS(ON)=30m Ω @VGS=10V. RDS(ON)=42mΩ @VGS=4.5V. -20V , -4.3A , RDS(ON)=90m Ω @VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mΩ @VGS=-2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power an CET |
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CEM11M2 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CET |
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CEM2005 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and Channel) Chino-Excel Technology |
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