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| DFU2N60 N-Channel MOSFET
DFU2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode field-effect powe   DnI |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
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