![]() |
|
DFU2N60 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 N-Channel MOSFET의 기능을 가지고 있습니다. |
DFU2N60의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | DFU2N60 DnI | N-Channel MOSFET
DFU2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode field-effect powe | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
|
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
DFU1N60 | N-Channel MOSFET
DFU1N60
N-Channel MOSFET
Features
■ ■ ■ ■ ■
N-Channel MOSFET
2.Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 11.5 ohm ID = 1.0A
High ruggedness RDS(on) (Max 11.5 Ω )@VGS=10V Gate Charge (Typical 7nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested
1.Gate 3.Source
General Description
This N-channel |
![]() DnI |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
DFU2N60 | N-Channel MOSFET
DFU2N60
N-Channel MOSFET
Features
High ruggedness RDS(on) (Max 5.5 )@VGS=10V Gate Charge (Typical 15nC) Improved dv, dt Capability 100% Avalanche Tested 1. Gate {
{ {
2. Drain
BVDSS = 600V RDS(ON) = 5.5ohm ID = 2.1A
3. Source
General Description
This N-channel enhancement mode field-effect powe |
![]() DnI |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |