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RFL1N10L

1A/ 100V/ 1.200 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFET

RFL1N10L September 1998 1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET Description This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power eld effect transistor speci cally designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotiv



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RFL1N10L

1A 80V AND 100V 1.200 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS




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RFL1N10

1A/ 80V and 100V/ 1.200 Ohm/ N-Channel/ Power MOSFETs

Semiconductor RFL1N08, RFL1N10 1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs Description These are N-channel enhancement mode silicon-gate power eld-effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for


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RFL1N10

1A 80V AND 100V 1.200 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS



New Jersey Semiconductor
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RFL1N10L

1A/ 100V/ 1.200 Ohm/ Logic Level/ N-Channel Power MOSFET

RFL1N10L September 1998 1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET Description This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power eld effect transistor speci cally designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotiv


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1A 80V AND 100V 1.200 OHM N-CHANNEL POWER MOSFETS



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RFL1N12

1A/ 120V and 150V/ 1.9 Ohm/ N-Channel Power MOSFETs

Semiconductor RFL1N12, RFL1N15 1A, 120V and 150V, 1.9 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power eld effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for h


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