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2SD111 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호 부품번호 상세설명 및 전자부품 기능 제조사
12SD111

INCHANGE
Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor isc Product Specification 2SD111 DESCRIPTION ·High Power Dissipation- : PC= 100W@TC= 25℃ ·High Current Capability- : IC = 10A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. ABSO
INCHANGE
22SD1110

SavantIC
SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1110 DESCRIPTION ·With TO-3PFa package ·Complement to type 2SB849 ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·For use in low frequency power amplifier applications PINNING PIN 1 2 3 Base Collector Emitter DESCRIPT
SavantIC
32SD1111

Sanyo Semicon Device
NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor

Ordering number:EN751C NPN Epitaxial Planar Silicon Darlington Transistor 2SD1111 Driver Applications Applications · Motor drivers, printer hammer drivers, relay drivers, voltage regulator control. Features · High DC Current Gain (5000 or greater). · Large current capacity and wide ASO. · Low
Sanyo Semicon Device
42SD1113

Inchange Semiconductor
Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor isc Product Specification 2SD1113 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 300V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 500(Min) @IC= 4A APPLICATIONS ·Igniter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAME
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부품번호 상세설명 제조업체 PDF
2SD0592A Silicon NPN epitaxial planar type

Transistors 2SD0592A (2SD592A) Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features 0.7±0.2 Unit: mm 5.0±0.2 4.0±0.2 Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.7±0.1 ■ Abs
Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
datasheet 2SD0592A pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
2SD0601 Silicon NPN epitaxial planer type

Transistor 2SD601A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB709A 2.8 0.3 +0.2 Unit: mm s Features q q q 0.65±0.15 +0.25 1.5 0.05 0.65±0.15 High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package
Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
datasheet 2SD0601 pdf
부품번호 상세설명 제조업체 PDF
2SD0601A Silicon NPN epitaxial planer type Transistor

Transistor 2SD0601A (2SD601A) Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) I Features G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and a
Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor
datasheet 2SD0601A pdf

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