2SD1126 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SD1126 Hitachi Semiconductor	Silicon NPN Triple Diffused 2SD1126(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter ID 1.5 kΩ (Typ) 130 Ω (Typ) 3 1 2 3 2SD1126(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base
2	2SD1126 Inchange Semiconductor	Silicon NPN Darlington Power Transistor INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1126 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 5A ·Low Saturation Voltage APPLICATIONS ·Designed for power switching appl
3	2SD1126 Renesas	Silicon NPN Triple Diffused To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations i
4	2SD1126K Hitachi Semiconductor	Silicon NPN Triple Diffused 2SD1126(K) Silicon NPN Triple Diffused Application Power switching Outline TO-220AB 2 1 1. Base 2. Collector (Flange) 3. Emitter ID 1.5 kΩ (Typ) 130 Ω (Typ) 3 1 2 3 2SD1126(K) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0592A	Silicon NPN epitaxial planar type Transistors 2SD0592A (2SD592A) Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features 0.7±0.2 Unit: mm 5.0±0.2 4.0±0.2 Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.7±0.1 ■ Abs	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0601	Silicon NPN epitaxial planer type Transistor 2SD601A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB709A 2.8 0.3 +0.2 Unit: mm s Features q q q 0.65±0.15 +0.25 1.5 0.05 0.65±0.15 High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0601A	Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor 2SD0601A (2SD601A) Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) I Features G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and a	Panasonic Semiconductor

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