2SD1615 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	2SD1615 NEC	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SD1615, 2SD1615A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES World Standard Miniature Package Low VCE
2	2SD1615 Guangdong Kexin Industrial	NPN Silicon Epitaxial Transistor SMD Type NPN Silicon Epitaxial Transistor 2SD1615 Transistors Features World Standard Miniature Package. Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Collector-base voltage Collector-emitter voltage Emitter-base voltage Collector current (DC) Collector Current (puls
3	2SD1615A NEC	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SD1615, 2SD1615A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES World Standard Miniature Package Low VCE
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0592A	Silicon NPN epitaxial planar type Transistors 2SD0592A (2SD592A) Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features 0.7±0.2 Unit: mm 5.0±0.2 4.0±0.2 Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 0.7±0.1 ■ Abs	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0601	Silicon NPN epitaxial planer type Transistor 2SD601A Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB709A 2.8 0.3 +0.2 Unit: mm s Features q q q 0.65±0.15 +0.25 1.5 0.05 0.65±0.15 High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package	Panasonic Semiconductor
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
2SD0601A	Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor 2SD0601A (2SD601A) Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A) I Features G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and a	Panasonic Semiconductor

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