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2SD1616 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 NPN Silicon Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SD1616 SEMTECH | NPN Silicon Transistor ST 2SD1616 , 2SD1616A
NPN Silicon Transistor
The 2SD1616 , 2SD1616A are designed for use in driver and output stages of AF amplifier general purpose application.
The transistor is subdivided into three groups R, O and Y, according to its DC current gain
On special request, these transistors can be |  |
| 2 | 2SD1616 NEC | NPN Silicon Transistor DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SD1616, 2SD1616A
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING
FEATURES
Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) Large PT in small dimension with versatility PT = 0.75 W, VCEO = 50, 60 V, IC(DC) = |  |
| 3 | 2SD1616 유니소닉 테크놀로지스 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1616, A
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
DESCRIPTION
* Audio frequency power amplifier * Medium speed switching
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Lead Free Plating
Halogen-Free
- 2SD1616G-x-AB3-R
- 2SD1616G-x-G03-K
2SD1616L-x-T |  |
| 4 | 2SD1616 Weitron Technology | NPN Transistors
2SD1616 2SD1616A
NPN Transistors
TO-92
1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE
1
2
3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)
Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Total Device Dissipation TA=25 C Junction Temperature Storage, Temperature Symbol VCEO |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0592A | Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs |
 Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package |
Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601A | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a |
Panasonic Semiconductor |
|
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