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| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SD1782 Galaxy Microelectronics | Medium Power Transistor Medium Power Transistor
FEATURES
- Low VCE(sat). VCE(sat) =0.2V(Typ.) (IC , IB=0.5 A , 50mA)
- High VCEO, VCEO=80V - Complements the 2SB1198K.
Pb
Lead-free
APPLICATIONS
- Epitaxial planar type NPN silicon transistor.
Production specification
2SD1782
SOT-23
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marki |  |
| 2 | 2SD1782 JCET | NPN Transistor JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
2SD1782 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES - Low VCE(sat) - High BVCEO - Complements the 2SB1198
SOT-23
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC PC T |  |
| 3 | 2SD1782 유니소닉 테크놀로지스 | NPN SILICON TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SD1782
Preliminary
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
POWER NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter satur |  |
| 4 | 2SD1782K Kexin | Power Transistor SMD Type
TransistIoCrs
Power Transistor 2SD1782K
Features
Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.2V(Typ.) IC , IB= 0.5A , 50mA High VCEO, VCEO=80V.
+0.12.4 -0.1
SOT-23
2.9+0.1 -0.1
0.4+0.1 -0.1
3
12 0.95+0.1
-0.1
1.9+0.1 -0.1
+0.11.3 -0.1
0.55 0.4
Unit: mm 0.1+0.05
-0.01
+0.10.97 -0.1
Absolute Maximum |  |
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국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0592A | Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs |
 Panasonic Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package |
Panasonic Semiconductor |
|
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601A | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a |
Panasonic Semiconductor |
|
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