|
|
2SD2118 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Silicon NPN Power Transistor의 기능을 가지고 있습니다. |
|
2SD2118의 핀아웃 및 회로도를 보려면 검색 결과에 있는 PDF 아이콘을 클릭하세요. |
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | 2SD2118 Inchange Semiconductor | Silicon NPN Power Transistor isc Silicon NPN Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SD2118
DESCRIPTION ·High current capacity ·Small and slim package making it easy to make 2SD2118-used set smaller ·Low collector-to-emitter saturation voltage ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations | |
| 2 | 2SD2118 WEJ | NPN Transistor RoHS 2SD2118
2SD2118 TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES Power dissipation
TPCM:
1 W (Tamb=25℃)
9. 70¡ 0 . 20 0. 75¡ 0 . 10
1. 60¡ 0 . 15
0. 6 2. 70¡ 0 . 20
5. 50¡ 0 . 10
.,LCollector current
ICM: 5 Collector-base voltage
A
OV(BR)CBO:
50 V
Operating and storage junction temperature range | |
| 3 | 2SD2118 Kexin | Transistor SMD Type
Transistors
Low VCE(sat) Transistor 2SD2118
Features
Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor.
+9.70 0.2 -0.2
TO-252
6.50+0.15 -0.15
5.30+0.2 -0.2
2.30+0.1 -0.1
0.50+0.8 -0.7
Unit: mm
+1.50 0.15 -0.15
+ 0 .1 55 .5 5 -0.15
0.80+0.1 -0.1
0.12 | |
| 4 | 2SD2118 Transys | NPN Transistor Transys
Electronics
LIMITED
TO-252-2Plastic-Encapsulated Transistors
2SD2118 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES Power dissipation
PCM:
1 W (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 5 Collector-base voltage
A
V(BR)CBO:
50 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
TO- | |
데이터시트 다운로드![]()
| |||
국내 전자부품 판매점 |
|
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0592A | Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs |
Panasonic Semiconductor |
![]() |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package |
Panasonic Semiconductor |
![]() |
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| 2SD0601A | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a |
Panasonic Semiconductor |
![]() |
페이지 링크 허용우리는 데이터시트를 무료로 제공하며, 이 페이지에 대한 링크도 허용합니다.검색결과에 표시되지 않는 내용은 수일내에 자동으로 업데이트 됩니다. |
|
당사의 고급 검색 기능을 사용하면 제조업체, 부품 번호 및 기타 주요 기준별로 |
|
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 신규 | 사이트맵 : 1, 2 |