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2SD596 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD의 기능을 가지고 있습니다. |
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번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
1 | 2SD596 WEJ | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR RoHS 2SD596
2SD596 TRANSISTOR (NPN)
DFEATURES
TPower dissipation
.,LPCM:
0.2 W (Tamb=25℃)
0. 95¡ 0. 025
1. 02
0. 35 2. 92¡ 0. 05
Collector current
ICM: 0.7
OCollector-base voltage
A
1. 9
V(BR)CBO:
30 V
COperating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150� | ![]() |
2 | 2SD596 BLUE ROCKET ELECTRONICS | Silicon NPN transistor 2SD596
Rev.E Mar.-2016
DATA SHEET
描述 , Descriptions
SOT-23 塑封封 NPN 半 三 管。Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.
特征 , Features
高 hFE, 2SB624 互 。 High hFE, complementary pair with 2SB624.
用途 , Applications
用于音 放大。 Audio frequency am | ![]() |
3 | 2SD596 SeCoS | NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente
2SD596
0.7A , 30V NPN Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
High DC Current gain Complementary to 2SB624
MARKING DV4
PACKAGE INFORMATION
Package
MPQ
SOT-23
3K
Leader Size 7 inch
SOT-23
A | ![]() |
4 | 2SD596 Rectron | BIPOLAR TRANSISTORS RECTRON
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL SPECIFICATION
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
2SD596
FEATURES
* Power dissipation
PCM :
0.2 W (Tamb=25OC)
* Collector current
ICM :
0.7 A
* Collector-base voltage
V(BR)CBO : 30
V
* Operating and storage junction temperature range TJ,Tstg: -55OC | ![]() |
데이터시트 다운로드![]()
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국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SD0592A | Silicon NPN epitaxial planar type
Transistors
2SD0592A (2SD592A)
Silicon NPN epitaxial planar type
For low-frequency output amplification Complementary to 2SB0621A (2SB621A) ■ Features
0.7±0.2
Unit: mm
5.0±0.2 4.0±0.2
Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)
0.7±0.1
■ Abs |
![]() Panasonic Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SD0601 | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor
2SD601A
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB709A
2.8 0.3
+0.2
Unit: mm
s Features
q q q
0.65±0.15
+0.25 1.5 0.05
0.65±0.15
High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). Mini type package |
![]() Panasonic Semiconductor |
![]() |
부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
2SD0601A | Silicon NPN epitaxial planer type Transistor Transistor
2SD0601A (2SD601A)
Silicon NPN epitaxial planer type
For general amplification Complementary to 2SB0709A (2SB709A)
I Features
G High foward current transfer ratio hFE. G Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). G Mini type package, allowing downsizing of the equipment and
a |
![]() Panasonic Semiconductor |
![]() |
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