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CBS05F30 데이터시트 PDF ( Data sheet )이 부품은 Schottky Barrier Diode의 기능을 가지고 있습니다. |
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검색 결과 목록
| 번호 | 부품번호 | 상세설명 및 전자부품 기능 | 제조사 |
| 1 | CBS05F30 Toshiba Semiconductor | Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
CBS05F30
1. Applications
High-Speed Switching
2. Features
(1) Low forward voltage: VF(3) = 0.38 V (typ.) (2) Thin and compact packaging: Height = 0.40mm(max)
3. Packaging and Internal Circuit
CBS05F30
1: Cathode 2: Anode
CST2B
4. Absolute Maximum Ratings |  |
국내 전자부품 판매점 |
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디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CBS05F30 | Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
CBS05F30
1. Applications
High-Speed Switching
2. Features
(1) Low forward voltage: VF(3) = 0.38 V (typ.) (2) Thin and compact packaging: Height = 0.40mm(max)
3. Packaging and Internal Circuit
CBS05F30
1: Cathode 2: Anode
CST2B
4. Absolute Maximum Ratings |
Toshiba Semiconductor |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CBS084A00-TJN | LCM MODULE C-7
:(086)0755-26919178
: (086)0755 -26911092
Http:, , www.av-display.com.cn
SHENZHEN AV-DISPLAY CO.,LTD Address:North East C-7 Building, Wenchang Street Eastern
District, OCT, ShenZhen, China TEL: (086)0755-26919178 FAX: (086)0755-26911092 Http:, , www.av-display.com.cn
SPECIFICATION FOR
LCM M |
 AV-DISPLAY |
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| 부품번호 | 상세설명 | 제조업체 | |
| CBS10S30 | Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial
CBS10S30
1. Applications
High-Speed Switching
2. Packaging and Internal Circuit
CBS10S30
CST2B
1: Cathode 2: Anode
3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )
Characteristics
Symbol Note
Rating
Unit
Peak reverse voltag |
 Toshiba |
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