RQK0604IGDQA 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	RQK0604IGDQA Renesas Technology	Silicon N Channel MOS FET Power Switching RQK0604IGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching REJ03G1496-0100 Rev.1.00 Jan 15, 2007 Features Low on-resistance RDS(on) = 111 mΩ typ.(at VGS = 4.5 V, ID = 1 A) Low drive current High speed switching VDSS ≥ 60 V and capable of 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP000
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RQK0201QGDQA	Silicon N-Channel MOS FET RQK0201QGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 25 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 2.4 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 Note: Marking is “QG”. Preliminary D	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RQK0202RGDQA	Silicon N-Channel MOS FET RQK0202RGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 42 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.9 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 1 2 Note: Marking is “RG”. Preliminary D	Renesas
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
RQK0203SGDQA	Silicon N-Channel MOS FET RQK0203SGDQA Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features Low on-resistance RDS(on) = 68 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.5 A) Low drive current High speed switching 2.5 V gate drive Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A (Package name: MPAK) 3 Note: Marking is “SG”. 1 2 Preliminary	Renesas

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