S9014 데이터시트 PDF ( Data sheet )

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	S9014 Fairchild Semiconductor	Pre-Amplifier / Low Level & Low Noise SS9014 SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise High total power dissipation. (PT=450mW) High hFE and good linearity Complementary to SS9015 1 TO-92 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted Symbol VCBO VCEO V
2	S9014 AUK corp	NPN Silicon Transistor 7 Semiconductor STS9014 NPN Silicon Transistor Description General purpose application Switching application Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) , hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KH- Complementary pair with STS9015 Ordering Information Type NO. STS9
3	S9014 Weitron Technology	NPN General Purpose Transistors S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR 1 2 3 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Total Device Dissipation TA=25 C Junction Temperature Storage, Temperature Symbol
4	S9014 Galaxy Semi	Silicon Epitaxial Planar Transistor BL Galaxy Electrical Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES - - - Complementary To S9015. Excellent HFE Linearity. Power dissipation.(PC=0.2W) Production specification S9014 Pb Lead-free APPLICATIONS - Per-Amplifier low level & low noise. SOT-23 ORDERING INFORMATION Type No. S9014 Marki

부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9004P2CT	30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER S9004P2CT 30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter	Diodes Incorporated
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9005P2CT	20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER S9005P2CT 20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features · · · · · · · Schottky Barrier Chip Guard Ring Die Construction for Transient Protection Low Power Loss, High Efficiency High Surge Capability High Current Capability and Low Forward Voltage Drop For Use in Low Voltage, High Frequency Inverter	Diodes Incorporated
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
S9011	NPN Transistor RoHS S9011 S9011 F EATURE Pow er dissipation P CM: TRANSISTOR (NPN) TO-92 1 . EMITTER 2. BASE 0 .31 W (Tamb=25℃) 3. COLLECTOR Co llector current I CM: 0 .03 A C ollector-base voltage V (BR)CBO: 30 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: - 55℃ to +150℃ E LECTRICAL C	WEJ

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