V8P15 데이터시트 PDF ( Data sheet )

이 부품은 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier의 기능을 가지고 있습니다.

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번호	부품번호	상세설명 및 전자부품 기능	제조사
1	V8P15 Vishay	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com V8P15 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 4 A TMBS® eSMP® Series K 1 2 TO-277A (SMPC) K Cathode Anode 1 Anode 2 FEATURES Very low profile - typical height of 1.1 mm Available
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부품번호	상세설명	제조업체	PDF
V8P10	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier New Product V8P10 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.466 V at IF = 4 A TMBS® eSMP® Series FEATURES Very low profile - typical height of 1.1 mm Ideal for automated placement K Trench MOS Schottky technology	Vishay
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
V8P12	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com V8P12 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 4 A TMBS® eSMP® Series K 1 2 TO-277A (SMPC) K Cathode Anode 1 Anode 2 FEATURES Very low profile - typical height of 1.1 mm Available	Vishay
부품번호	상세설명	제조업체	PDF
V8P15	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier www.vishay.com V8P15 Vishay General Semiconductor High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 4 A TMBS® eSMP® Series K 1 2 TO-277A (SMPC) K Cathode Anode 1 Anode 2 FEATURES Very low profile - typical height of 1.1 mm Available	Vishay

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