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검색 결과 목록
| HFD630A 200V N-Channel MOSFET HFD630A_HFU630A
August 2015
HFD630A , HFU630A
200V N-Channel MOSFET
BVDSS = 200 V RDS(on) typ ID = 9.0 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled G   SemiHow |
국내 전자부품 판매점 |
디바이스마트 IC114 엘레파츠 ICbanQ |
관련 검색 목록
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HFD1N65 N-Channel MOSFET HFD1N65 , HFU1N65
April 2006
HFD1N65 , HFU1N65
650V N-Channel MOSFET
BVDSS = 650 V RDS(on) typ = 10.5 Ω ID = 0.8 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unriv SemiHow  |
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HFD1N65S N-Channel MOSFET HFD1N65S , HFU1N65S
HFD1N65S , HFU1N65S
650V N-Channel MOSFET
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivalled Gate Charge : 3.0 nC (Typ.) Extended Safe Operating SemiHow |
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HFD1N70 N-Channel MOSFET HFD1N70 , HFU1N70
Dec 2008
HFD1N70 , HFU1N70
700V N-Channel MOSFET
BVDSS = 700 V RDS(on) typ = 14.0 Ω ID = 0.8 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivall SemiHow |
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HFD1N80 N-Channel MOSFET HFD1N80 , HFU1N80
April 2006
HFD1N80 , HFU1N80
800V N-Channel MOSFET
BVDSS = 800 V RDS(on) typ = 13 Ω ID = 1.0 A
FEATURES
Originative New Design Superior Avalanche Rugged Technology Robust Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Unrivall SemiHow |
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HFD2 SUBMINIATURE DIP RELAY HFD2
SUBMINIATURE DIP RELAY
Features
2
Form C contact,Polarized relay sensitivity 150mW
High Fits
standard 16 pin IC socket switching capacity 60W,125VA sealed for automatic wave soldering
High
Epoxy
File No.:E133481
and cleaning
CONTACT DATA
Contact Arrangement Initial Contact Resista  ETC |
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